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光纤激光打标机发展历程


更新时间:2016-9-12 10:31:11 浏览次数:153

光纤激光打标机发展历程

20世纪90年代出现并特别值得一提的是面发射激光器(SEL),早在1977年,人们就提出了所谓的面发射激光器,并于1979年做出了第一个器件,1987年做出了用光泵浦的780nm的面发射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面发射激光器在室温下达到亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转换效率。前面谈到的半导体激光器,从腔体结构上来说,不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔,激光输出都是在水平方向,统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一p腔,光输出沿着垂直于衬底片的方向发出,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEIS)是一种新型的量子阱激光器,它的激射阔值电流低,输出光的方向性好,藕合效率高,能得到相当强的光功率输出,垂直腔面发射激光器已实现了工作温度最高达71摄氏度. 20世纪90年代末,面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展,且已考虑了在超并行光电子学中的多种应用.980mn,850nm和780nm的器件在光学系统中已经实用化.目前,垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络。

为了满足21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要,半导体激光器的发展趋势主要在高速宽带LD、大功率ID,短波长LD,盆子线和量子点激光器、中红外LD等方面.目前,在这些方面取得了一系列重大的成果,上面介绍完了,光纤激光打标机之光源近20年来的发展历程

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